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感應(yīng)淬火設(shè)備類型分為：工頻,、低頻、中頻,、超音頻,、高頻、超高頻感應(yīng)淬火設(shè)備幾種,，根據(jù)淬硬深度需要來(lái)選擇適用頻率,。淬硬層深度越大，所需頻率越低,，反之,，則越高。

目前感應(yīng)淬火以中頻,、超音頻,、高頻、超高頻為主,。

中頻淬火設(shè)備一般為可控硅,，目前國(guó)內(nèi)有用IGBT感應(yīng)電源做中頻的，比可控硅節(jié)能,，但是價(jià)格較可控硅的高,。相對(duì)來(lái)說(shuō)，IGBT是發(fā)展趨勢(shì),，因其轉(zhuǎn)換效率較高,，而且性能穩(wěn)定，內(nèi)部實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān),，不容易出故障,。

超音頻、高頻淬火設(shè)備則是IGBT感應(yīng)電源,。目前國(guó)內(nèi)IGBT感應(yīng)電源已經(jīng)歷三代,。*代為窄頻率多主板為顯著特征。第二代則是寬頻率范圍,，單一主板為主要特征,。第三代，則從技術(shù)結(jié)構(gòu)上進(jìn)行了革命性的改變,，實(shí)現(xiàn)數(shù)字化控制,，能傳輸和儲(chǔ)存能量監(jiān)控?cái)?shù)據(jù)，便于實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化管理。

超高頻淬火設(shè)備一般以電子管為主,，MOSFET也有一定發(fā)展,，目前國(guó)內(nèi)有以IGBT做的。電子管高頻設(shè)備的環(huán)境污染已經(jīng)眾所周知,，但是其取代者M(jìn)OSFET故障率較高,，引用范圍收到限制。IGBT相對(duì)穩(wěn)定,，是現(xiàn)在普遍應(yīng)用于高頻,、中頻領(lǐng)域的核心。